キオクシアHDが上場来高値に迫る、「第10世代」の新技術に期待と注目集まる

■半導体株が全体に安い中で逆行高

 キオクシアHD(キオクシアホールディングス)<285A>(東証プライム)は2月25日、朝方の5%安(106円安の2227円)から次第に切り返し、14時過ぎには9%高(203円高の2536円)まで上げている。20日付で「4.8Gb/秒のNANDインターフェース速度とさらなる低消費電力化、高密度化を実現する新しい3次元フラッシュメモリ技術を開発」と発表し、買い材料視されており、半導体株がトランプ関税と中国向け規制強化の動きから全体に安い中で逆行高となっている。上場来の高値2570円(2025年2月19日)に迫っている。

 発表によると、新開発の3次元フラッシュメモリ技術は、現在量産中の第8世代3次元フラッシュメモリに対し「第10世代」に相当するようで、「第8世代3次元フラッシュメモリと比較してNANDインターフェース速度は33%の向上となる4.8Gb/秒を実現」「データ入出力の電力効率を、入力時に10%、出力時に34%改善し、低消費電力と高性能が両立」「これらの技術を導入する第10世代3次元フラッシュメモリは、積層数を332層に増やし、フロアプランの最適化による平面方向の高密度化をすることで、ビット密度が59%向上」などとしている。(HC)(情報提供:日本インタビュ新聞社・株式投資情報編集部)

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