■半導体株が全体に安い中で逆行高
キオクシアＨＤ（キオクシアホールディングス）＜２８５Ａ＞（東証プライム）は２月２５日、朝方の５％安（１０６円安の２２２７円）から次第に切り返し、１４時過ぎには９％高（２０３円高の２５３６円）まで上げている。２０日付で「４．８Ｇｂ／秒のＮＡＮＤインターフェース速度とさらなる低消費電力化、高密度化を実現する新しい３次元フラッシュメモリ技術を開発」と発表し、買い材料視されており、半導体株がトランプ関税と中国向け規制強化の動きから全体に安い中で逆行高となっている。上場来の高値２５７０円（２０２５年２月１９日）に迫っている。
発表によると、新開発の３次元フラッシュメモリ技術は、現在量産中の第８世代３次元フラッシュメモリに対し「第１０世代」に相当するようで、「第８世代３次元フラッシュメモリと比較してＮＡＮＤインターフェース速度は３３％の向上となる４．８Ｇｂ／秒を実現」「データ入出力の電力効率を、入力時に１０％、出力時に３４％改善し、低消費電力と高性能が両立」「これらの技術を導入する第１０世代３次元フラッシュメモリは、積層数を３３２層に増やし、フロアプランの最適化による平面方向の高密度化をすることで、ビット密度が５９％向上」などとしている。（ＨＣ）（情報提供：日本インタビュ新聞社・株式投資情報編集部）
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