■『溶液法 ＳｉＣ ウエハ』、国内初のサンプル出展後、連日出直る
オキサイド＜６５２１＞（東証グロース）は１２月１８日、１２％高の１５４６円（１６５円高）まで上げた後も堅調に売買され、日々の上値を３日連続セリ上げて出直りを強めている。次世代パワー半導体材料として事業化に取り組む『溶液法 ＳｉＣ（炭化ケイ素）ウエハ』のサンプルを、日本国内の展示会としては初めて１２月１３日まで開かれた「ＳＥＭＩＣＯＮ ＪＡＰＡＮ」に出展し、翌取引日から連日上値を追う相場になっている。
発表によると、同社グループは、次世代パワー半導体材料として溶液法 ＳｉＣ （炭化ケイ素）ウエハの事業化に取り組んでいる。 溶液法は、従来の昇華法に比べて、欠陥が少なく高品質な ＳｉＣ ウエハの製造が可能と見込まれている。子会社のオキサイドパワークリスタルの取組がＮＥＤＯ国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構）の「次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発」に採択され、コンソーシアムメンバーと共にＳｉＣ 溶液法結晶成長技術の開発を進めている。（ＨＣ）（情報提供：日本インタビュ新聞社・株式投資情報編集部）
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