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大日本印刷、最先端半導体向け１０ｎｍテンプレート開発、省電力製造に貢献
- 2025/12/9 09:50
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■先端ロジック半導体の微細化ニーズに対応、２０２７年量産開始を目指す
大日本印刷＜７９１２＞（東証プライム）は１２月９日、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）向けに、１．４ナノメートル世代相当の最先端ロジック半導体にも対応可能な回路線幅１０ｎｍのテンプレートを開発したと発表した。同テンプレートは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに加え、スマートフォンやデータセンター向け先端ロジック半導体の微細化ニーズに対応する。
先端半導体分野では、ＥＵＶリソグラフィによる生産が進む一方、設備投資や電力消費の増大が課題となっている。同社は２００３年からＮＩＬ用テンプレートの開発を進めてきた。今回、ＳＡＤＰ技術やフォトマスク製造技術、ウエハ製造プロセスのノウハウを活用し、ＥＵＶ工程の一部代替を可能とする１０ｎｍテンプレートを実現した。
同テンプレートは、露光工程の電力消費量を従来比で約１０分の１に抑え、製造コスト削減と環境負荷低減の両立に寄与する。今後は顧客との評価ワークを進め、２０２７年の量産開始を目指す。ＮＩＬ事業で２０３０年度に売上４０億円の上積みを目標とし、１２月１７日からの「ＳＥＭＩＣＯＮ Ｊａｐａｎ ２０２５」で展示する。（情報提供：日本インタビュ新聞社・株式投資情報編集部）
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