豊田合成は横型のＧａＮパワー半導体をパウデックと共同開発、次世代の省エネ機器に寄与する新技術
- 2023/6/20 18:29
- プレスリリース
■高電圧・高速動作のＧａＮパワー半導体を開発
豊田合成＜７２８２＞（東証プライム）は２０日、太陽光発電などに応用される電力変換装置の性能向上につながる、高性能な横型のＧａＮパワー半導体を株式会社パウデックと共同で開発（※１）したと発表。
パワー半導体は、産業機器や車、家電などの電力制御に幅広く使われている。現在、社会全体でのカーボンニュートラル実現に向け、制御時の電力ロスを低減できる次世代パワー半導体の実用化・普及拡大が期待されている。その一つであるＧａＮパワー半導体は、高速動作が特長で、より幅広い分野への応用にあたっては高電圧化（大電力化）が課題だった。
■横型ＧａＮパワー半導体で世界トップクラスの高電圧・高速動作を実現
今回、同社とパウデック社が共同開発を進めてきた独自設計のＧａＮパワー半導体（※２）を搭載したモジュール（駆動回路基板）を用いて、世界トップクラスとなる８００Ｖで、１００万分の１秒でのオン・オフ動作を確認（※３）した。高電圧動作と高速動作を両立したパワー半導体の実証ができたことにより、太陽光発電での電力ロス低減などが期待できる。今後、安定した連続動作と耐久品質の確保を通じて、早期実用化を目指していいく。
※１ 環境省の「革新的な省ＣＯ２実現のための部材や素材の社会実装・普及展開加速化事業」の支援を受けて実施。
※２ ＰＳＪ（Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ Ｓｕｐｅｒ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）ＧａＮパワートランジスタ。１５００Ｖ以上の高い耐電圧性能を持つ。
※３ 高電圧動作（８００Ｖ）と高速動作（１００万分の１秒でのオン・オフ動作）を両立した性能の高さが世界トップクラスとなる（２０２３年５末時点、同社調べ）（情報提供：日本インタビュ新聞社・株式投資情報編集部）
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