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キヤノン、先端半導体向け平坦化技術「ＩＡＰ」を開発、ＮＩＬ技術を応用
- 2026/1/14 07:43
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■ウエハー凹凸を５ｎｍ以下に抑制、２０２７年に装置製品化へ
キヤノン＜７７５１＞（東証プライム）は１月１３日、ナノインプリントリソグラフィ技術を応用したウエハー平坦化技術「Ｉｎｋｊｅｔ－ｂａｓｅｄ Ａｄａｐｔｉｖｅ Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ（ＩＡＰ）」を開発し、世界で初めて実用化したと発表した。先端半導体製造への活用を見据え、２０２７年中に同技術を用いた装置の製品化を目指す。
半導体製造では、成膜や配線工程を重ねる中で生じるウエハー表面の凹凸を均一に整える平坦化工程が不可欠である。微細化や３Ｄ化が進む先端半導体では、わずかな凹凸がＣＤ誤差やパターン位置ずれを招き、歩留まりや生産性に影響する。現在主流のスピンコート技術やＣＭＰ技術は、工程の複雑化やコスト増加が課題となっていた。
今回のＩＡＰ技術は、同社が開発したナノインプリントリソグラフィ技術を平坦化用途に応用したものだ。ウエハー表面の凹凸分布に応じてインクジェット方式で樹脂を最適配置し、平坦ガラス板で一括押印することで、直径３００ｍｍウエハー全面を高精度に平坦化する。表面凹凸を５ｎｍ以下に抑え、後工程に必要な均一な層構造を実現するという。（情報提供：日本インタビュ新聞社・株式投資情報編集部）
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