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三菱電機、パワー半導体「トレンチ型ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴチップ」４品種のサンプル提供開始
- 2026/1/15 07:58
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■ＥＶや太陽光発電向けに対応、低消費電力化と性能維持に貢献
三菱電機＜６５０３＞（東証プライム）は１月１４日、ＥＶ（電気自動車）や再生可能エネルギー用電源システム向けに使用可能なパワー半導体「トレンチ型ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴチップ」４品種のサンプル提供を開始すると発表した。提供開始日は１月２１日で、トラクションインバーターやオンボードチャージャー、太陽光発電用電源システムなど幅広いパワーエレクトロニクス機器への組み込みニーズに対応する。
脱炭素社会の実現を背景に、パワーエレクトロニクス機器の高性能化と多様化が進み、パワー半導体をチップとして組み込む要望が高まっている。今回ラインアップした新製品は、既存のトレンチ型ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴチップと同様に独自構造を採用し、プレーナー型と比べ電力損失を約５０％低減する。オン抵抗やスイッチング損失の低減により、低消費電力化と性能維持の両立を図る。
また、独自のゲート酸化膜製法など長年培った製造プロセス技術を活用し、長期間使用時の品質安定性も確保した。仕様の異なる４品種を展開することで、車載分野から再生可能エネルギー分野まで多様な用途に対応する。なお同製品は、１月２１日から東京ビッグサイトで開催される「第４０回ネプコンジャパン」をはじめ、北米、欧州、中国、インドなどの展示会に出展予定としている。（情報提供：日本インタビュ新聞社・株式投資情報編集部）
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